Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 va beneficia de o răcire avansată, la pachet cu performanţă crescută

Dă şi tu share articolului

Nu doar telefoanele mobile, ci chiar și componentele acestora își fac debutul mai devreme.
Dacă Galaxy S23 este așteptat în decembrie, Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 va urma în luna următoare.
S-au dezvăluit anterior scurgeri de informații despre nucleul său de bază, iar acum știm mai multe despre răcirea sa.

Qualcomm organizează un eveniment în Hawaii, în perioada 14-17 noiembrie, când va prezenta cel mai recent chipset de vârf, Snapdragon 8 Gen 2.
De asemenea, avem și primele informații despre performanțe, citând presupusul Ice Universe.
Potrivit estimărilor preliminare, noul procesor va oferi o îmbunătățire de 10% a performanței față de Snapdragon 8+ Gen 1, o creștere de 15% a eficienței bateriei și o îmbunătățire de 20% a GPU-ului. 10% mai multă performanță la nivel de inteligență artificială și o îmbunătățire considerabilă a vitezei de procesare a fotografiilor.

În plus, sursa susține că Gen 2 va rezolva orice problemă de încălzire sau supraîncălzire.
Se pare că cipul a fost livrat în avans producătorilor de telefoane, care l-au testat și au descoperit o îmbunătățire cu 15% a eficienței energetice.

Odată cu Snapdragon 8+ Gen 1, au fost rezolvate problemele legate de consumul ridicat de baterie al Snapdragon 8 Gen 1. O altă îmbunătățire ar fi binevenită. Se pare că TSMC va produce și următorul chipset, care va utiliza tehnologia de 4 nm. Noul SoC va dispune de opt nuclee configurate ca 1+2+2+3. Cu o creștere a performanței cu 22% față de Cortex X2, Cortex X3 va fi super nucleul pentru performanță.

Noul modem X70 5G va suporta o viteză de descărcare de până la 10 Gbps.
Atunci când GPU-ul este actualizat de la Adreno 730 la Adreno 740, scorul AnTuTu crește la 1,2 milioane.
Pentru a lansa acest CPU, Xiaomi 13 ar fi într-o poziție privilegiată.

Dă şi tu share articolului

Te-ar mai putea interesa

Leave a Comment